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Power Integrations bringt InnoSwitch3-AC / DC-Wandler-ICs auf Galliumnitrid-Basis auf den Markt

Die fortschrittliche GaN-Technologie sorgt für eine deutliche Steigerung der Leistung und Effizienz

05.08.2019 – SAN JOSE, Kalifornien – (BUSINESS WIRE) – Power Integrations (Nasdaq: POWI), der Marktführer für integrierte Hochspannungsschaltungen für die energieeffiziente Energieumwandlung, gab heute neue Mitglieder seiner InnoSwitch ™ 3-Familie bekannt von Offline-CV / CC-Flyback-Switcher-ICs. Die neuen ICs bieten einen Wirkungsgrad von bis zu 95% über den gesamten Lastbereich und bis zu 100 W in geschlossenen Adapterimplementierungen, ohne dass ein Kühlkörper erforderlich ist. Diese bahnbrechende Leistungssteigerung wird durch eine intern entwickelte Hochspannungs-GaN-Switch-Technologie erreicht.

Die quasiresonanten ICs InnoSwitch3-CP, InnoSwitch3-EP und InnoSwitch3-Pro kombinieren Primär-, Sekundär- und Rückkopplungsschaltungen in einem einzigen Gehäuse für die Oberflächenmontage. In den neu herausgebrachten Familienmitgliedern ersetzen GaN-Schalter die traditionellen Silizium-Hochspannungstransistoren auf der Primärseite des IC, reduzieren Leitungsverluste bei Stromfluss und Schaltverluste während des Betriebs erheblich. Dies führt zu einer wesentlich geringeren Energieverschwendung und damit zu einer höheren Effizienz und Leistungsabgabe durch das platzsparende InSOP-24D-Paket.

Power Integrations bringt InnoSwitch3-AC / DC-Wandler-ICs auf Galliumnitrid-Basis auf den MarktDie neuen ICs zielen auf hocheffiziente Flyback-Designs ab, wie USB-PD und Hochstrom-Ladegeräte / -Adapter für mobile Geräte, Set-Top-Boxen, Displays, Geräte, Netzwerk- und Spieleprodukte. Sie bieten exakte CV / CC / CP-Werte, unabhängig von externen Faktoren Komponenten und eine einfache Schnittstelle zu Schnellladeprotokoll-ICs. Die Varianten InnoSwitch3-CP und ‑EP sind hardwarekonfigurierbar, während der InnoSwitch3-Pro eine ausgeklügelte digitale Schnittstelle zur Software-Steuerung von CV- und CC-Sollwerten, Ausnahmebehandlung und Sicherheitsmodusoptionen enthält.

Balu Balakrishnan, Präsident und CEO von Power Integrations: „GaN ist eine zentrale Technologie, die gegenüber Silizium erhebliche Effizienz- und Größenvorteile bietet. Wir erwarten eine schnelle Umstellung von Siliziumtransistoren auf GaN in vielen Leistungsanwendungen. InnoSwitch3 ist seit der Einführung der Siliziumvarianten vor 18 Monaten klarer Technologieführer auf dem Markt für Offline-Switcher-ICs. Mit den neuen GaN-basierten ICs bauen wir unseren Vorsprung weiter aus, indem wir sowohl die Effizienz als auch die Leistungsfähigkeit unserer Flyback-Produkte verbessern. “

Die neuen InnoSwitch 3-ICs von Power Integrations sind ab sofort für 4 US-Dollar pro Einheit bei Abnahme von 10.000 Stück erhältlich. Auf der Power Integrations-Website finden Sie fünf neue Referenzdesigns, die USB-PD-Ladegeräte von 60 W bis 100 W beschreiben, sowie ein automatisiertes Designtool, PI Expert ™ und weitere technische Supportdokumentationen.

Informationen zu Power Integrations

Power Integrations, Inc. ist ein führender Innovator in der Halbleitertechnologie für die Hochspannungsumwandlung. Die Produkte des Unternehmens sind wichtige Bausteine ​​im Ökosystem der sauberen Energieversorgung und ermöglichen die Erzeugung erneuerbarer Energie sowie die effiziente Übertragung und den effizienten Verbrauch von Energie in Anwendungen von Milliwatt bis Megawatt. Weitere Informationen erhalten Sie unter www.power.com.

Power Integrations, InnoSwitch, PI Expert und das Power Integrations-Logo sind Marken oder eingetragene Marken von Power Integrations, Inc. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

Quellversion auf businesswire.com anzeigen: https://www.businesswire.com/news/home/20190725005696/de/

Medienkontakt
Peter Rogerson
Power Integrations, Inc.
(408) 414 & ndash; 8573
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Kontakt zur Presseagentur
Nick Foot
BWW-Kommunikation
+ 44-1491-636 393
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Quelle und Bilder: Power Integrations, Inc.

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